іонізація, ионизация ; електротехніка, электротехника, electrical engineering, Elekrotechnik f
This article presents the results of the calculation and measurement of impedance characteristics of single-drift silicon impact ionization avalanche transit-time (IMPATT) diodes. Using the method of the CV characteristics the width of the depletion region, the avalanche breakdown voltage and doping profile of diodes were defined. With the help of the theoretical calculation method the impedance of diodes was calculated. Data is presented for further analysis and selection of diode impedance matching modes with the impedance of the transmission line in a microwave chamber. IMPATT diode operates in avalanche mode, and is used as a solid-state source of noise in submillimeter range.
У даній статті викладені результати розрахунку і вимірювань імпедансних характеристик однодрейфових кремнієвих лавинно-прольотних діодів (ЛПД). Методом вольтфарадних характеристик визначені: ширина збідненої області, напруга лавинного пробою і профіль легування діодів. За допомогою теоретичного методу проведений розрахунокповного опору діодів. Дані наводяться для подальшого аналізу і вибору режимів узгодження імпедансу діодів з опором лінії передачі в НВЧ камері. ЛПД працює в режимі лавинного пробою і використовується в якості твердотільного джерела шуму субміліметрового діапазону.
В данной статье изложены результаты расчета и измерений импедансных характеристик однодрейфовых кремниевых лавинно - пролетных диодов (ЛПД). Методом вольтфарадных характеристик определены: ширина обедненной области, напряжение лавинного пробоя и профиль легирования диодов. С помощью теоретического метода произведен рассчет полного сопротивления диодов. Данные приводятся для последующего анализа и выбора режимов согласования импеданса диодов с сопротивлением линии передачи в СВЧ камере. ЛПД работает в режиме лавинного пробоя и используется в качестве твердотельного источника шума субмиллиметрового диапазона.
