Опис документа

The work is devoted to the calculation of thermal conductivity, heat flow and the coefficient of thermal straightening silicon diode structures. Theoretical dependences of thermal conductivity of silicon and the type of temperature based on the temperature dependences of the thermal conductivity of all components of the members. Calculation of the thermal conductivity of the silicon semiconductor diode conducted in the temperature range 300-1000 K. The heat flow patterns calculated in both directions. Estimation of the coefficient of thermal straightening held as the ratio of the flow in one direction to flow backwards. Theoretical evaluations were conducted using computer software calculations. The results may be useful in the design of high power semiconductor devices and to control heat flow in electronic circuits.

Робота присвячена розрахунку теплопровідності, теплового потоку та коефіцієнта теплового випрямлення кремнієвих діодних структур. Отримано теоретичні залежності теплопровідності кремнію та типу від температури з урахуванням температурних залежностей усіх складових членів теплопровідності. Розрахунок теплопровідності напівпровідникового кремнієвого діода проводився в діапазоні температур 300-1000 К. Тепловий потік структури розраховувався в обох напрямках. Оцінка коефіцієнта теплового випрямлення проводилася як відношення потоку в одному напрямку до потоку в зворотному. Теоретичні оцінки проводились за допомогою комп"ютерних програм розрахунків. Отримані результати можуть бути корисними при проектуванні напівпровідникових приладів великої потужності та для керування тепловими потоками в електронних мікросхемах.

Работа присвящена расчету теплопроводимости теплового потока и коэффициента теплового выпрямления кремниевых диодных структур. Получено теоретические зависимости теплопроводимости кремния p и n типа от температуры с учетом температурных зависимостей всех составляющих членов теплопроводимости. Расчет теплопроводимости полупроводникового кремниевого диода проводился в диапазоне температур 300-1000 К. Тепловой поток структуры рассчитывался в обоих направлениях. Оценка коэффициента теплового выпрямления проводился как соотношение потока в одному направлении до потока в обратном. Теоретические оценки проводились при помощи компьютерных программ расчетов. Полученные результаты могут быть полезными при проектировании полупроводниковых приборов большой мощности и для управления тепловыми потоками в электронных микросхемах.