Зведений каталог бібліотек Києва

 

ExternalimVlaskina, S. I.
    External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals [Текст] / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, V.I. Vlaskin та ін. // Semіconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. — Kyiv, 2004. — Vol. 7, №4. — Р. 448-451.


Автор: Vlaskina S.I., Mishinova G.N., Vlaskin V.I., Rodionov V.E., Svechnikov G.S.

- Ключові слова:

кремнієві структури, кремниевые структуры ; кремній, кремний ; люмінесценція, люминесценция, lumіnеscеncе

- Анотація:

Influence of plastic deformation and high-temperature annealing (T = 2100 °C, t = 1 h) on SiC crystals with grown polytypic junctions demonstrating SF and DL spectra have been presented. SF-i and DL-i type luminescence are inherent to SiC crystals with distortions of the structure related with availability of packing defects that lead to one-dimensional disordering (along the c-axis). They are a most expressed in doped crystals with original growth defects. DL luminescence appears in pure crystals at plastic deformation and in doped crystals at a hydrostatic pressure. It enhances at the high temperature annealing, too.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека ім.М.Максимовича Київського національного університету імені Тараса Шевченка   Перейти на сайт