В монографии изложены основные представления современной радиационной физики полупроводников: природа радиационных дефектов; механизм их образования, перестройки и аннигиляции; пространственное распределение и диффузия дефектов; влияние радиационных деффектов на физические свойства полупроводника. Рассмотрены ориентационные эффекты в полупроводниках, лазерное облучение полупроводников, радиационно-стимулированная диффузия, а также вопрос о радиационной стойкости полупроводников, имеющий большое прикладное значение.
