Рассматриваются особенности физических свойств полупроводников, обусловленные статистическим взаимодействием электронов и дефектов. Учет такого взаимодействия позволяет понять природу высокотемпературной электропроводимости и ряда проводников, природу равновесной и неравновесной сомоконпенсации проводимость, определить зависимость концентрации собственных дефектов решетки от концетрации носителей тока и других факторов.
