Рассматриваются принципы действия и характеристики полупроводниковых приборов с четырехслойной p-n-p-n структурой, показаны способы и возможности их применения в схемах различных устройств (импульсные генераторы, триггеры, переключатели, реле времени, инверторы и др.).
