Зведений каталог бібліотек Києва
З852П491Линдквист, П. Ф. Полевые транзисторы на арсениде галия: Принципы работы и технолония изготовления [Текст] = GaAs FET PRINCIPLES and TECHNOLOGY / перевод с англ.: Петрова Г. В., под ред.: Ди Лорена Д. В., Канделуола Д. Д. — Москва : Радио и связь, 1988. — 496 с. : ил.
- Ключові слова:
- Анотація:
Охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, изготовлением и применением полевых транзисторов, а также микроэлектронных СВЧ устройств.
- Теми документа