Рассматриваются вопросы получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире и шпинели и формирования на их основе интегральных схем. Изложены методы выращивания кристаллов сапфира и алюмомагнитной шпинели, а также методы подготовки диэлектрических подложек к гетероэпитаксии.
