Рассматриваются физические основы работы диодов с барьером Шоттки. Особое внимание обращается на роль диэлектрического зазора и поверхностных состояний в контакте металл - полупроводник. Описываются технологические методы получения диодов с заданными параметрами. Большое внимание уделяется вопросам конструирования диодов с барьером Шоттки. Рассатривается применение таких приборов в СВЧ и других устройствах. Для специалистов и научных работников, занимающихся исследованием и применением полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники, а также для студентов вузов.
