Приведены результаты теоретического и экспериментального исследований импульсных и усилительных схем на полупроводниковых приборах с учетом современной технологии производства радиоэлектронной аппаратуры. Обсуждаются особенности элементов и узлов ЦВМ на полевых транзисторах. Рассматриваются некоторые вопросы применения полупроводниковых приборов в фазометрической аппаратуре.
Для научных работников и инженеров, занимающихся разработкой электронной аппаратуры, а также для студентов и аспирантов, специализирующихся по радиоэлектронике.
