В настоящем сборнике публикуются материалы по новым полупроводниковым приборам и принципам их конструирования, физическим параметрам и свойствам транзисторов, туннельных СВЧ диодов, а также по анализу ряда схем, более полно раскрывающих свойства транзисторов и возможности их использования.
