прилад напівпровідниковий, прибор полупроводниковый ; транзистор, transistor ; мікросхема інтегральна, микросхема интегральная ; опір, сопротивление ; розрахунок тепловий, расчет тепловой ; електроніка твердотільна, электроника твердотельная ; автореферат (текст) ; гетероструктура ; Техніка, с.г., медицина

Дисертаційна робота присвячена дослідженню теплових процесів і ефекту саморозігріву в потужних субмікронних гетероструктурах та інтегральних мікросхем на їх основі. Створені математичні моделі та алгоритми що дозволяють побудувати розподіл температури вздовж транзисторної структури, виявити зони перегріву і уточнити параметри моделі на етапі проектування.

Досліджено методику врахування ефекту саморозігріву в транзисторі за рахунок введення в схемну модель додаткових баластних опорів і залежного джерела. Встановлено характер впливу ефекту саморозігріву на вихідні і частотні характеристики.

Розроблено та запатентовано спосіб розрахунку теплового опору субмікронного транзистора за його тепловою моделлю.

• ББК науковий // Теория полупроводниковых приборов