алгоритм, algorithm ; транзистор, transistor ; напівпровідник, полупроводник, semiconductor, transistor ; схема інтегральна, схема интегральная ; електроніка твердотільна, электроника твердотельная ; автореферат (текст) ; гетероструктура ; Техніка, с.г., медицина

Вперше розроблено двовимірні математичні моделі та алгоритми для аналізу процесів дрейфу носіїв заряду у гетероструктурних транзисторах з квантовими точками, встановлено механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування.

На основі результатів фізико-типологічного моделювання розроблено схемотехнічні моделі, що дозволяють розраховувати і аналізувати малосигнальні та шумові параметри субмікронних і нанорозмірних багатоканальних гетероструктур з квантовими точками, придатні для оптимізації фізико-типологічних параметрів транзисторів.

• ББК науковий // Теория полупроводниковых приборов