Досліджено амплітудно-частотні характеристики напівпровідникових лазерів інжекційного типу. Виконано вимірювання коефіцієнтів нелінійних перекручувань і глибини амплітудної модуляції таких лазерів у режимі струмової надвисокочастотної модуляції. Експериментальні дослідження проведено з використанням напівпровідникових лазерів після їх тривалого складського збереження, що моделює ефекти старіння.
Исследованы амплитудно-частотные характеристики полупроводниковых лазеров инжекционного типа. Выполнены измерения коэффициентов нелинейных перекручиваний и глубины амплитудной модуляции таких лазеров в режиме токовой сверхвысокочастотной модуляции. Экспериментальные исследования проведены с использованием полупроводниковых лазеров после их длительного хранения, что моделирует эффекты старения.
Are investigated amplitude - frequency characteristics of injection semi-conductor lasers. Measurements of factors of nonlinear distortions and depths of peak modulation of such lasers in a current mode the microwave modulation are executed. Experimental researches are carried out with use of semi-conductor lasers after their long warehousing modeling effects of ageing.
