-
Ключові слова:
прилад напівпровідниковий, прибор полупроводниковый ; напівпровідник, полупроводник, semiconductor, transistor
-
Анотація:
Даны физические принципы конструирования и физико-химические основы обработки поверхности высоковольтных p-n-переходов. Исследовано распределение напряженности электрического поля на поверхности p-n-перехода и его влияние на поверхностный пробой. Приведена технология химического травления, очистки, пассивации и защиты поверхности p-n-переходов реальных полупроводниковых приборов и описаны методы ее обработки для уменьшения поверхностной составляющей тока утечки. Для инженеров-технологов и научных работников, а также для студентов вузов соответствующих специальностей.
-
Теми документа
-
ББК науковий // Напівпровідникові прилади
|