Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны выводы теоретических соотношений, определяющих их параметры. Рассмотрены эффекты, возникающие при приближении к субмикронным размерам активных элементов. Для инженерно-технических работников, занимающихся применением и разработкой элементов микроэлектроники.
