Изложены основы нового направления в кристаллизации пленок - искусственной эпитаксии, позволяющей выращивать монокристалллические пленки на аморфных подложках. Рассмотрено применение искусственной эпитаксии и родственных подходов для изготовления радиационно стойких и сверхскоростных интегральных схем, трехмерных интегральных схем, систем отображения информации, устройств функциональной электроники и др.
Для научно-технических работников, занимающихся разработкой элементной базы микроэлектроники и вычислительной техники, а также аспирантов и студентов, специализирующихся в этой области.
