Кристалізація напівпровідників
Підтеми:
Документи:
- Вдосконалення технології вирощування злитків напівізолюючого арсеніду галію великого діаметру [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Андросюк Максим Степанович ; М-во освіти і науки України, Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. — Кременчук, 2015. — 24 с.
- Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника [Текст] : Процессы образования монокристаллических слоев для микроэлектроники / АН СССР, Физико-технич. ин-т, Ин-т кристаллографии; Отв. ред. И.А. Смирнов. — Ленинград : Наука, 1986. — 175с.
- Глубокая очистка эфирата триметилгаллия, используемого в технологии полупроводниковых материалов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.17.16 / Ферапонтов Александр Петрович ; Москов. ин-т электрон. техники. — Москва, 1979. — 24 с.
- Электронно-микроскопическое исследование эпитаксиальных структур на основе четверных твердых растворов соединений АШВУ [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Вдовин Владимир Ильич ; Акад. наук Украин. ССР, Ин-т полупроводников. — Киев, 1987. — 19 с.
- Исследование роста и электрофизических свойств эпитаксиальных слоев германия, арсенида галлия и переходов на их основе [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 046 / Марончук И.Е. ; АН СССР , Сиб. отд-ние Совет секции общей и прикл. физики Объедин. учен. совета по физ.-мат. и техн. наукам. — Новосибирск, 1968. — 19 с.
- Керування умовами гетероепітаксійного росту з рідкої фази у неізоперіодній системі GaSb/InAs [Текст] : Автореф. дис. ... канд. технічних наук; 05. 27. 06 / Баганов Є. О.; НАН України; Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. — Київ, 2007. — 20с.
- Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых плёнок [Текст] / Л.Н. Александров. — Новосибирск : Наука, 1985. — 224 с.
- Математическое описание процессов кристаллизации [Текст] / Н.А. Авдонин. — Рига : Зинатне, 1980. — 178 с.
- Процессы синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводниковых материалов [Текст] : Симпозиум 11-16 октября 1965 г. / Академия наук СССР; Институт неорганической химии; редколл.: К. Е. Миронов. — Новосибирск : Наука, 1971. — 312 с.
- Рідкофазна епітаксія в системі Pb-Sn-Te-Se [Текст] / Ю.Г. Ковальов, О.М. Царенко ; МОНУ ; Кіровоградський державний педагогічний ун-т ім. Володимира Винниченка. — Кіровоград : КОД, 2010. — 68 с.
- Современные тенденции получения кремния для устройств электроники [Текст] : монография / Т.В. Критская ; М-во образования и науки Украины, Запорож. гос. инженер. акад. — Запорожье : ЗГИА, 2013. — 353, [1] с. : ил., табл.
- Технології отримання оксидних монокристалів і елементів для лазерної, сцинтиляційної техніки і пристроїв оптичного запису інформації [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / Космина М.Б. ; НАНУ ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова. — Київ, 2011. — 33 с.
- Фізико-хімічні особливості рідинної епітаксії твердих розчинів в системі Pb-Sn=Te-Se на діелектричних підкладках [Текст] : Автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Рябець С. І.; МО України Херсон. держ. техн. ун-т. — Херсон, 1998. — 18 с.
|
