p-n переходи в напівпровідниках
Документи:
- Барьерные эффекты в полупроводниках [Текст] / Б. Атакулов. — Вильнюс, 1978. — 25 л.
- Электролюминесценция изотипных гетероструктур на основе CaAs и Ca1-xAlxAs [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Тимохов Федор Петрович ; Одес. гос. ун-т им. И.И. Мечникова. — Одесса, 1979. — 19 с.
- Электронно-дырочные переходы в полупроводниках [Текст]. — Ташкент, 1962. — 320 с.
- Электронные межцентровые переходы в частично разупорядоченном кремнии [Текст] : автореф. дисс. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Шматов А.А. ; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1990. — 13 с.
- Электронные межцентровые переходы в частично разупорядоченном кремнии [Текст] : дисс. ... канд. физ.- мат. наук : 01.04.10 / Шматов А.А. ; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1989. — 169 л., фото.
- Исследование и разработка технологии получения высокоэффективных диффузионных Р-П переходов на основе Ca As1-xPx и Ga P [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.17.16 / Эскин Сергей Моисеевич ; М-во высш. и сред. спец. образования СССР, Москов. ин-т электрон. техники. — Москва, 1979. — 19 c.
- Исследования полупроводниковых соединений сложного состава и p-n переходов на их основе [Текст] / МВиССО РСФСР, Калмыцкий гос. ун-т. — Элиста, 1980. — 85с.
- Физика р-n переходов [Текст]. — Рига : Зинатне, 1966. — 558 с.
- Fizica jonctiunilor cu semi-conductoare [Текст] / Voicu Dologan. — Bucuresti, 1982. — 319с.
- Physico-technological aspects of degradation of silicon microwave diodes [Текст] = Фізико-технологічні аспекти деградації кремнієвих НВЧ діодів / [A.E. Belyaev et al. ; gen. ed.: A.E. Belyaev et al. ; Nat. akad. of sciences of Ukraine etc.]. — Kyiv : Akademperiodyka, 2011. — 179, [3] p. : ill., tab.
|
