Електронна емісія напівпровідників
Документи:
- Біляпорогова кратна іонізація внутрішніх електронних оболонок атомів кремнію та 3d-, 5d - металів [Текст] : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Боровий М.О. ; КНУТШ. — Київ, 2011. — 36 с.
- Біляпорогова кратна іонізація внутрішніх електронних оболонок атомів кремнію та 3d-, 5d - металів [Текст] : дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Боровий М.О. ; КНУТШ. — Київ, 2011. — 523 л. + Додаток: л. 451-475.
- Вплив іонного бомбардування на електронну емісію оксидного катода [Текст] / Є.Т. Кучеренко, В.П. Демяненко. — С. 1-2.
- Дія проникаючої радіації на оптичні та електрофізичні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Конорева Оксана Володимирівна ; М-во освіти і науки, молоді та спорту України ; Волин. нац. ун-т ім. Л. Українки. — Луцьк, 2012. — 16 с.
- До питання про вторинну негативну емісію твердих тіл при взаємодії з швидкими позитивними іонами [Текст] / І.П. Мацуй. — 1958. — С. 115-116.
- Экзоэлектронная эмиссия [Текст] : перевод. — Москва : Иностранная литература, 1962. — 290 с.
- Электронная эмиссия и катоды электронных ламп [Текст] / З.М. Пруслин. — Москва, 1961. — 58 с.
- Электронное переключение в аморфных полупроводниках [Текст] : монография / АН УССР; Днепропетровское отделение института механики. — Киев : Наукова думка, 1978. — 203 с. : ил. 72 + табл. 8.
- Эмиссионная электроника [Текст] / Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. — Москва, 1966. — 564 с.
- Исследование вторичной эмисси некоторых металлов и полупроводников в зависимости от их толщины [Текст] / Н.Г. Находкин. — Киев, 1955. — С. 209-221.
- Исследование диодных структур на основе компенсированных полупроводников [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Елканова Тамара Михайловна ; М-во высш. и среднего специального образования СССР, Москов. ин-т электронной техн. — Москва, 1978. — 25 с.
- Исследование рекомбинации и захвата неравновесных носителей в полупроводниковых системах с пространственно распределенными параметрами и в условиях приповерхностной генерации [Текст] : автореф. ... дис. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Пека Генриэтта Павловна ; Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса. — Вильнюс, 1975. — 40 с.
- К теории автоэлектронной эмиссии металлов [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 041 / Ицкович Ф.И. ; Харьков. гос. ун-т. — Харьков, 1968. — 10 с.
- Нелинейная фотопроводимость и связанные с нею неравновесные явления в полупроводниках при мощном лазерном возбуждении [Текст] : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Вайткус Юозас-Видмантис Юозович ; АН УССР ; Ин-т полупроводников. — Киев, 1978. — 37 с.
- Неравновесные процессы в фотопроводниках [Текст] / В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. — Киев : Наукова думка, 1981. — 264с.
- Особенности процессов ионизации глубоких примесных центров в компенсированном арсениде галлия [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ильяшенко А.Г. ; КГУ им. Тараса Шевченко. — Киев, 1982. — 18 с.
- Потенциальная и кинетическая эмиссия электронов с поли- и монокристаллического молибдена [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 043 / Джуракулов Х. ; АН УзССР. — Ташкент, 1969. — 18 с.
- Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения [Текст] : труды / ордена Ленина физический ин-тут им. П. Н. Лебедева; гл. ред. акад. Н. Г. Басов. — Москва : Наука, 1981. — 144 с.
- Спин - зависимая рекомбинация в пластически деформированном кремнии [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Мима Лидия Сергеевна ; КГУ им. Тараса Шевченко. — Киев, 1982. — 25 с.
- Спін електрона та електронно-діркова рекомбінація в напівпровідниках [Текст] / КНУТШ; О.В.Третяк, В.А.Львов, О.В.Барабанов. — Київ : Київський університет, 2001. — 175с.
- Теория электроной эмиссии из металлов [Текст] / А.М. Бродский, Ю.Я. Гуревич. — Москва : Наука, 1973. — 255 с.
|
