Дефекти у напівпровідниках (домішки, дислокації, вакансії та ін.)
Документи:
- Амфотерные примеси и фоточувствительные спектры полупроводников [Текст] : автореф. дисс. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.05 / Вакуленко О.В. ; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1984. — 31 с.
- Взаимодействие электронов и дырок [Текст] / Я.Е. Покровский. — Москва : Знание, 1985. — 64с.
- Влияние структурного совершенства кристаллов кремния и структур на его основе на их механические свойства [Текст] : дисс. ... канд. физ.- мат. наук : 01.04.07 / Сизонтов В.М. ; М-во высш. и сред. спец. образования УССР; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1986. — 208 л. + Приложение: л. 204-208.
- Вплив ультразвуку на дефекти та фотоелектричні властивості кремнію і структур на його основі [Текст] : Дис. ... канд. фізико-математичних наук. Спец. 01.04.07 - фізика твердого тіла / Подолян А.О.; КНУТШ. — Київ, 2008. — 170л.
- Дефекти у напівпровідникових та діелектричних кристалах [Текст] : [посібник] / Оліх О.Я. ; Київ. нац. ун-т ім. Тараса Шевченка. — Київ : Корзун Д.Ю., 2016. — 149, [1] с. : іл.
- Эволюция дислокационной структуры и механизмы деформации многослойных полупроводниковых систем [Текст] : автореф. дисс. ... д-ра физ.-мат наук : 01.04.07 / Макара В.А. ; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1986. — 37 с.
- Эволюция дислокационной структуры и механизмы деформации многослойных полупроводниковых систем [Текст] : дисс. ... д-ра физ.- мат. наук : 01.04.07 / Макара В.А. ; М-во высш. и сред. спец. образования УССР; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1985. — 509 л. + Приложения: л. 478-509.
- Еволюція структури та фізичних властивостей кремнію, стимульована магнітним полем [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Калініченко Дмитро Володимирович ; М-во освіти і науки України, Київ. нац. ун-т ім. Тараса Шевченка. — Київ, 2014. — 20 с.
- Еволюція структури та фізичних властивостей кремнію стимульована магнітним полем [Текст] : дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Калініченко Дмитро Володимирович ; М-во освіти і науки України, Київ. нац. ун-т ім. Тараса Шевченка. — Київ, 2013. — 163 л.
- Электрически активные собственные дефекты в неметаллических кристаллах [Текст] : автореф. дисс. ... доктора физ.-мат. наук : 01.04.07 / Холодарь Г.А. ; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1985. — 37 с.
- Электрические активные собственные дефекты в неметаллических кристаллах [Текст] : дисс. ... канд. физ.- мат. наук : 01.04.07 / Холодарь Г.А. ; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1985. — 308 л. + Приложение: л. 303-308.
- Закономірності впливу магнітних полів на структуру та структурно-чутливі властивості кристалів кремнію [Текст] : дис. ... канд. фіз.- мат. наук : 01.04.07 / Курилюк А.М. ; КНУТШ. — Київ, 2011. — 133 л.
- Зміна мікропластичності та мікротвердості кремнію, стимульована магнітним і рентгенівським впливом [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Кріт Олексій Миколайович ; М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Київ. нац. ун-т ім. Т. Шевченка. — Київ, 2012. — 20 с.
- Зміна мікропластичності та мікротвердості кремнію, стимульована магнітним і рентгенівським впливом [Текст] : дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Кріт Олексій Миколайович ; М-во освіти і науки, молоді та спорту України ; Київ. нац. ун-т ім. Т. Шевченка. — Київ, 2012. — 150 л.
- Зонные и примесные состояния в Pb1-x sn x Te ( ) [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Тетеркин В.В. ; АН УССР, Ин-т полупров. — Киев, 1982. — 16 с.
- Исследование влияния условий роста на дислокационную структуру монокристаллов хлористого натрия [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ-мат. наук : 046 / Эйдельман Л.Г.; АН УССР.Физ-техн. ин-т низких температур. — Харьков, 1968. — 23 с.
- Исследование расслоения тока и концентрации неравновесных носителей при однородном возбуждении полупроводников [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Кернер Борис Семенович ; АН СССР, Ин-т радиотехники и электроники. — Москва, 1979. — 22 с.
- Исследование спектров мелких акцепторных примесей в кубических полупроводниках [Текст] : Автореф... канд. физ.-мат.наук: 01.04.10 / Полупанов Александр Федорович; Моск. физ.-техн. ин-т. — Москва, 1981. — 21л.
- Методы прямого наблюдения дислокаций [Текст] : Пер. с англ. / С. Амелинкс. — Москва : Мир, 1968. — 440 с.
- Механизм взаимодействия точечных дефектов с дислокациями в объеме монокристаллов кремния [Текст] : автореф. дисс. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Иванов П.П. ; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1988. — 16 с.
- Механизм взаимодействия точечных дефектов с дислокациями в объеме монокристалов кремния [Текст] : дисс. ... канд. физ.- мат. наук : 01.04.07 / Иванов П.П. ; Акад. наук СССР; Ин-т металлургии им. А.А. Байкова. — Москва, 1988. — 125 л.
- Модифікування параметрів кристалів PbTe малими (до 0.5 ат. %) дозами Eu для елементів електронної техніки [Текст] : автореф. дис. … канд. техн. наук : 01.04.07 / Ільїна Олена Сергіївна ; М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Львів, 2014. — 20 с.
- Неоднорідності напівпровідників і актуальні задачі міждефектної взаємодії в радіаційній фізиці і нанотехнології [Текст] / П.І. Баранський, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар. — Київ ; Луцьк : [б. в.], 2006. — 314, [2] с.
- Подвижность, электрическая активность дислокаций в арсениде галлия и механические свойства его поверхностных слоев [Текст] : автореф. дисс. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Драненко А.С. ; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1987. — 16 с.
- Подвижность, электрическая активность дислокаций в арсениде галлия и механические свойства его поверхностных слоев [Текст] : дисс. ... канд. физ.- мат. наук : 01.04.07 / Драненко А.С. ; М-во высш. и сред. спец. образования УССР; КГУ им. Т.Г. Шевченко. — Киев, 1987. — 205 л.
- Понижение критических напряжений размножения дислокаций при многократном нагружении [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 046 / Халдей О.А. ; АН УССР ,Физ.-техн. ин-т низких температур. — Харьков, 1968. — 15 с.
- Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках [Текст] / А Милнс ; пер. с англ. Г.С. Пекаря ; под ред. М.К. Шейнкмана. — Москва : Мир, 1977. — 562 с.
- Проблеми діагностики реальних напівпровідникових кристалів [Текст] / П.І. Баранський [та ін.] ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова. — Київ : Наукова думка, 2014. — 461, [2] с. : іл., табл.
- Про визначення енерегії утворення вакансій та їх відносної кількості в бінарних сплавах [Текст] / С.Д. Герцрікен, Б.П. Слюсар. — 1958. — [7] c.
- Теория электронных возбуждений слоистых и нитевидных периодических систем [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Супрун А.Д. ; МВ и ССО УССР , КГУ им. Тараса Шевченко. — Киев, 1979. — 17 с.
- Технологічні методи керування структурою епітаксійних шарів і монокристалів GAAS [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лебедь О.М. ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. — Харків, 2011. — 20 с.
- Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты [Текст] : пер. с англ. / Ж. Бургуэн, М. Ланно. — Москва : Мир, 1985. — 304 с.
- Фоновые примеси и структурные дефекты в системе полуизолярующая подложка - эпитаксиальная пленка GaAs и методы их технологического контроля [Текст] : Автореф. дис. ... канд. техн. наук : 01.04.10 / Станев Н.С. ; БГУ им. В.И. Ленина. — Минск, 1990. — 16 с.
|