Опис документа

Ионное травление в технологии создания фотоприемников на основе CdxHg1-xTe [Текст] / И.И. Ижнин // Совещание актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники Фотоника-2008 : тезисы, Новосибирск 19-23 авг. 2008 / Ин-т физики полупроводников им. А.в. Ржанова, Сиб. отд-ние РАН. — С. 19.
Использование ионного травления для исследования дефектной структуры МЛЭ гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe [Текст] / И.И. Ижнин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов та ін. // Совещание актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники Фотоника-2008 : тезисы, Новосибирск 19-23 авг. 2008 / Ин-т физики полупроводников им. А.в. Ржанова, Сиб. отд-ние РАН. — С. 53.
Исследование влияния ионной имплантации бора и ионно-лучевого травления варизонных структур МЛЄ КРТ при формировании n-p-переходов [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев, А.П. Коханенко та ін. // Совещание актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники Фотоника-2008 : тезисы, Новосибирск 19-23 авг. 2008 / Ин-т физики полупроводников им. А.в. Ржанова, Сиб. отд-ние РАН. — С. 28.