Опис документа

Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge [Текст] / Н.Т. Павловська, П.Г. Литовченко, А.О. Дружинін та ін. // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 5-8.
Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, І.П. Островський та ін. // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 45-54.
Електронно-оптичне моделювання автоемісійних мікрокатодів [Текст] / А.О. Дружинін, В.І. Голота, І.Т. Когут, Ю.М. Ховерко // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 196.
Імпеданс-спектроскопія ниткоподібних кристалів кремнію [Текст] / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, Р.М. Корецький // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 50-55.
Інформаційне забезпечення віртуальної лабораторії автоматизованого проектування приладів та інтелекктуальних систем [Текст] / І.Б. Галелюка, С.В. Дзядевич, А.О. Дружинін та ін. // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 91-96.
Комбінований метод керування логічним станом кріотронів на основі СКВІДів [Текст] / М.В. Тиханський, А.І. Партика // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — Р. 76-81.
Композитні термоелектричні матеріали з нановключеннями: сучасний стан і перспективи (огляд) [Текст] / Д.М. Фреїк, О.С. Криницький, О.М. Матківський // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С.60-75.
Математичне моделювання процесів комутації в елементах логіки "або" на основі джозефсонівських кріотронів [Текст] / М.В. Тиханський, Р.Р. Крисько // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 5-11.
Наноструктури GaSe з магнітовпорядкованими "гостьовими" конфігураціями в температурному та електромагнітному полях [Текст] / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, О.І. Григорчак та ін. // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 68-78.
Напівпровідниковий інтегральний елемент на основі наноструктур кремнію для інформаційних систем [Текст] / А.О. Дружинін, І.Т. Когут, О.Ю. Ховерко та ін. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 6-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 29 верес. - 3 жовт. 2014 р., тези доп. / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Держ. агентство з питань науки, інновацій та інформатизації України, Від-ня фізики і астрономії Нац. акад. наук України, Наук. рада з пробл. "Фізика напівпровідників та напівпровідник. пристрої" [та ін.]. — Одеса : Астропринт, 2014. — С. 65.
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології [Текст]. — О., 2009. — 2009.
Супрамолекулярні структури для підвищення ефективності фарадеєвського і ємнісного накопичення енергії [Текст] / І.І. Григорчак, С.А. Войтович, Б.О. Середюк, Н.К. Товстюк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 81-91.
Тензорезистивні сенсори тиску на основі ниткоподібних кристалів кремнію [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, О.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 16-24.
Уроки наноелектроніки: виникнення струму, формування закону Ома і моди провідності в концепції "знизу-вгору" [Текст] / Ю.О. Кругляк, Н.Ю. Кругляк, М.В. Стріха // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С.5-29.