Зведений каталог бібліотек Львова
Вакив, Н. М. Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 27-30.
Автор: Вакив Н.М., Круковский С.И., Сукач А.В., Тетьоркин В.В., Мрыхин И.А., Михащук Ю.С., Круковский Р.С.
- Є складовою частиною документа:
Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — Одесса : Нептун - Технология.
- Теми документа
