Зведений каталог бібліотек Львова
Romaka, V. A. Features of conduction mechanisms in n-ZrNiSn semiconductor heavily doped with a Rh acceptor impurity [Текст] / Romaka V. A., Rogl P., Stadnyk Yu. V., Romaka V. V., Hlil E. K., Krajovskii V. Ya., Horyn A. M. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1145-1152.
Автор: Romaka V.A., Rogl P., Stadnyk Yu.V., Romaka V.V., Hlil E.K., Krajovskii V.Ya., Horyn A.M.
- Є складовою частиною документа:
Semiconductors [Текст]. — 2008. — № 7.
- Теми документа