548
Б947 3	Бучер, А.     Эпитаксиальное выращивание GaAs из газовой фазы для диодов Ганна [Текст] : пер. с франц. яз. ст. Бучера и Холлана пом. в "L'Onae electrique", 1970, V. 50, III, Nr 516, P. 165-172 / А. Бучер, Л. Холлан. — [М.] : [б. и.], 1971. — 23 с.