Опис документа

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление [Текст] / З.Ю. Готра, Д.Т. Дячок // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 30-33.
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния [Текст] / А.А. Дружинин, А.П. Кутраков, И.И. Марьямова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 25-28.
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия [Текст] / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 19-23.
Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике [Текст] / З.Ю. Готра, Дж. Тейт, Р. Кикинеши та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 54-57.
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур [Текст] / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко, Р.Н. Корецкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 46-50.
Изменение температуры с использованием оптическихдатчиков на основе двулучепереломляющих кристаллов [Текст] / В.М. Габа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 45-52.
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы [Текст] / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // Современные информационные и электронные технологии : тр. Десятой междунар. науч.-практ. конф., 18-22 мая 2009 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2009. — С. 153.
Исследование и повышение стабильности работы операционных усилителей в схемах драйверов емкосных сенсоров [Текст] / З.Ю. Готра, Р.Л. Голяка, И.И. Гельжинський // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 20-24.
Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля [Текст] / Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 63-66.
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии [Текст] / В.Ю. Ерохов, А.А. Дружинин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 21-23.
Многоканальный измеритель деформации для иследования конструкционных материалов [Текст] / А.А. Дружинин, Ю.Н. Ховерко, А.М. Вуйцик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 17-19.
Моделирование температурных режимов в элементах микроэлектронных приборов [Текст] / В.И. Гаврыш, А.И. Косач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 27-30.
Нанокристаллы Si1-xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры [Текст] / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 19-21.
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей [Текст] / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 11-13.
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат [Текст] / Р.И. Лесюк, Я.В. Бобицкий, Б.К. Котлярчук, В. Иллек // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 49-52.
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна [Текст] / Н.М. Вакив, С.И. Круковський, Д.М. Заячук та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 50-53.
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии [Текст] / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 31-35.
Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов [Текст] / А.А. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 43-49.
Радиационная стойкость нитевидных кристалов SiGeб используемых для сенсоров физических величин [Текст] / А.А. Дружинин, И.П. Островский, Ю.Н. Ховерко та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 10-12.
Радиоволновое охранное устройство на излучающем кабеле [Текст] / И.Н. Прудиус, В.Г. Сторож // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 10-13.
Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных микрокатодов [Текст] / А.А. Дружинин, В.И. Голота, И.Т. Когут, Ю.Н. Ховерко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 20-25.
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 27-30.
Связь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особеностями внутренней структуры системы [Текст] / З.А. Колодий, О.Г. Крук, Ю.В. Саноцкий та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 10-14.
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристалов кремния [Текст] / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, И.В. Павловский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 26-30.
Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — Одесса : Нептун - Технология.
Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. — Одесса : Политехпериодика, 2013. — № 4.
Физические основы проектирования зеркал оптических резонаторов полихромных лазеров [Текст] / Я.М. Бондарчук, Г.А. Петровская, В.Я. Татарин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 11-13.
Химическое осаждение из паровой фазы гетеро- и наноструктур соединений III-V [Текст] / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 36-40.