Круковський, С. І.     Особливості отримання гетероструктур AIGaAs/GaAs з градієнтним активним шаром для ФЕП методом РФЕ [Текст] / С.І. Круковський, Д.М. Заячук, Н.Я. Сиворотка // Одинадцята відкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки : тези доп. конф., 1-3 квіт. 2008 р., Львів / М-во освіти і науки України ; [відп. ред. Д. М. Заячук]. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2008. — C. 30.