Опис документа

Взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом кристалічних дефектів у твердому розчині CdHgTe при низькій температурі [Текст] / О.П. Малик // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 199.
Виявлення дефектних частин напівпровідникових матеріалів [Текст] / С.О. Юрєв, Р.К. Савкіна, О.Б. Смірнов та ін. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 194.
Електронно-оптичне моделювання автоемісійних мікрокатодів [Текст] / А.О. Дружинін, В.І. Голота, І.Т. Когут, Ю.М. Ховерко // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 196.
Зміни оптичного пропускання кристалів ніобату літію під час відновлювально-окислювальних відпалів [Текст] / Д.Ю. Сугак, Ю.Д. Сугак, О.А. Бурий та ін. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 190.
Комбінований метод керування логічним станом кріотронів на основі СКВІДів [Текст] / А.І. Партика, М.В. Тиханський // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 58.
Конденсація тонких плівок HgCdTe при імпульсному лазерному осадженні [Текст] / І.С. Вірт, Т.П. Шкумбатюк, І.В. Курило, І.О. Рудий // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 154.
Моделювання перехідних процесів в інформаційних перетворювачах джозефсонівських кріотронах [Текст] / Р.Р. Крисько, М.В. Тиханський, А.І. Партика // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 56.
Оптимізація структур інтерференційних смугових фільтрів [Текст] / І.Я. Яремчук, Г.А. Петровська, В.М. Фітьо, Я.В. Бобицький // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 348.
Сенсори температури на основі термоелектричного ефекту в мікрокристалах Si-Ge [Текст] / А.О. Дружинін, І.П. Островський, Н.С. ЛяхКагуй, Ю.Р. Когут // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 64.
Сенсори фізичних величин на основі структур "кремній на ізоляторі" з рекристалізованим шаром полікремнію [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, І.Т. Когут та ін. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 30-31.
Спектральні характеристики люмінесцентних матеріалів на основі йодистого кадмію [Текст] / С.С. Новосад, І.С. Новосад, І.М. Матвіїшин та ін. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 323.
Фазові переходи в Ag8XSe6(X=Ge,Sn,Si) як фізична основа для реалізації давачів температури та реперних точок [Текст] / Г.А. Ільчук, М.В. Чекайло, В.О. Українець та ін. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 174.
Фото- і рентгеностимульовані перетворення дефектів в активованих міддю галогенідах кадмію [Текст] / М. Рудка // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 189.
Фотосенсори на основі КНД структур [Текст] / А.О. Дружинін, І.С. Литвин // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 97.
Фототепловий метод вимірювання поглинання тонкоплівкових покрить [Текст] / Г.А. Петровська, І.В. Демкович, Я.В. Бобицький // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 298.
Чутливий елемент маятникоподібного ферозонду на основі (111)-орієнтованої епітаксійної плівки YIG [Текст] / С.Б. Убізський, Л.П. Павлик, Д.В. Андреєв // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 332.
Шаруваті галогеніди кадмію як основа сенсорів ультрафіолетового та рентгенівського випромінювання [Текст] / М. Рудка // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 258.
Mn4+-doped YAlO3 crystal as an active element of fluorescence thermometer [Текст] / Ya. Zhydachevskii, D. Sugak, A. Suchocki, M. Berkowski // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 147.
Technologies of porous silicon for humidity and gas sensors [Текст] / V.Yu. Yerokhov, A.A. Selemonavichus // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 349.