Крайовський Володимир Ярославович, сумісник
Документи:
- Effect of accumulation of excess Ni atoms in the crystal structure of the intermetallic semiconductor n-ZrNiSn [Текст] / Romaka V. A., Rogl P., Romaka V. V., Stadnyk Yu. V., Hlil E. K., Krajovskii V. Ya., Horyn A. M. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 892-898.
- Electronic structure of HfNi1+xSn solid solution [Текст] / P. Rogl, V.A. Romaka, V.Ya. Krayovskii та ін. // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XIV Міжнар. конф., 20-25 трав. 2013 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фізико-хім. ін-т, НОЦ "Наноматеріали в пристроях генерування та накопичення енергії", Держ.фонд фундамент. досліджень, Ін-т фізики, напівпровідників ім. В. С. Лашкарьова [та ін.]. — Івано-Франківськ, 2013. — C. 577.
- Features of band structure and conductions mechanisms of n-HfNiSn semiconductor, heavy doped with Ru [Текст] / V. A. Romaka , P. Rogl, V. V. Romaka, Yu. V. Stadnyk, R. O. Korzh, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1545-1551.
- Features of conduction mechanisms in n-ZrNiSn semiconductor heavily doped with a Rh acceptor impurity [Текст] / Romaka V. A., Rogl P., Stadnyk Yu. V., Romaka V. V., Hlil E. K., Krajovskii V. Ya., Horyn A. M. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1145-1152.
- Investigation of Zr1-xCexNiSn thermoelectric material [Текст] / V.Ya. Krayovskyy, P. Rogl, L.P. Romaka та ін. // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XV Міжнар. конф., 11-16 трав. 2015 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фізико-хім. ін-т, НОЦ "Наноматеріали в пристроях генерування та накопичення енергії", Держ.фонд фундамент. досліджень, Ін-т фізики, напівпровідників ім. В. С. Лашкарьова [та ін.]. — Івано-Франківськ, 2015. — С. 366.
- Mechanisms of structural defects formation of donor nature in n-HfNiSn intermetallic semiconductor [Текст] / P. Rogl, V.A. Romaka, V.Y. Krayovskii та ін. // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XIV Міжнар. конф., 20-25 трав. 2013 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фізико-хім. ін-т, НОЦ "Наноматеріали в пристроях генерування та накопичення енергії", Держ.фонд фундамент. досліджень, Ін-т фізики, напівпровідників ім. В. С. Лашкарьова [та ін.]. — Івано-Франківськ, 2013. — P. 578-579.
- Parameter optimization of thermoelectric material based on n-ZrNiSn intermetallic semiconductor [Текст] / V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, P. Rogl та ін. // Journal of Thermoelectricity. — 2009. — 2009. — P. 51-60.
- Peculiarities of structural disorder in Zr- and Hf-containing Heusler and half-Heusler stannides [Текст] / Romaka V. V., Rogl P., Romaka L., Stadnyk Yu. V., Grytsiv A., Lakh O., Krajovskii V. Ya., // Intermetallics. — 2013. — 2013. — P. 45-52.
1
2
|