Ромака Володимир Афанасійович, д-р техн. наук, доц.
Документи:
- Особливості провідності сильнолегованого акцепторною домішкою Y інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn [Текст] / В.А. Ромака, Б.І. Стадник, Р.В. Крайовський та ін. // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XII Міжнар. конф., 18-23 трав. 2009 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фіз.-хім. ін-т, НАН України. — Івано-Франківськ, 2009. — С. 252-254.
- Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик твердого розчину HfNi1-xRuxSn [Текст] / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л.П. Ромака, Д. Качаровський, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, О. І. Лах // Фізика і хімія твердого тіла [Текст] / Прикарпат. нац. ун-т ім. Василя Стефаника ; Фізико-хім. ін-т [та ін.]. — С. 325-330.
- Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик термоелектричного матеріалу VFe1-хTixSb. [Текст] / В.А. Ромака, П. Рогль, Ю.В Стадник та ін. // Термоелектрика : міжнар. наук. журн. — Чернівці, 2014. — 2014. — С. 41-52.
- Особливості структурних, зонно-енергетичних, електрокінетичних та магнітних властивостей твердого розчину Zr1-xDyxNiSN [Текст] / В.В. Ромака, Я. Деніжчик, В. Давидов та ін. // Вісник Львівського університету. Серія хімічна / Львів. нац. ун-т ім. І. Франка. — Л., 2008. — С. 81-86.
- Переваги використання хмарних технологій перед власною інфраструктурою при побудові системи інтернет-магазину [Текст] / Дмитро Пантелюк, Володимир Ромака, Петро Гаранюк // Захист інформації і безпека інформаційних систем : матеріали V Міжнар. наук.-техн. конф., 2-3 черв. 2016 р. / М-во освіти і науки України, НАН України, Нац. ун-т "Львів. політехніка", Ін-т приклад. проблем механіки і математики ім. Я. С. Підстригача, Одес. нац. політехн. ун-т, Ун-т Бєльсько-Бяла (Польща) ; [відп. за вип. В. Б. Дудикевич]. — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2016. — С. 46-47.
- Перспективи застосування сильнолегованих напівпровідників як матеріалів чутливих елементів для термометрії [Текст] / Олеся Спондич, Пилип Скоропад, Володимир Ромака // Вимірювальна техніка та метрологія : міжвідом. наук.-техн. зб. / М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехніка"; відп. ред. Б. І. Стадник. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2005. — С. 123-126.
- Прогнозування та реалізація магнетонечутливих термоелементів на основі термометричного матеріалу Zr1-xLuxNiSn [Текст] / Роман Крайовський, Володимир Ромака // Вимірювальна техніка та метрологія : міжвідом. наук.-техн. зб. / М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехніка"; відп. ред. Б. І. Стадник. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2005. — C. 100-106.
- Прогнозування та реалізація термоелементів електрорезистивних та термоелектричних термометрів на основі n-HfNiSn [Текст] / В. Я. Крайовський, В. А. Ромака // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія : Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки України ; відп. ред. Д. Заячук. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2006. — С. 122-127.
- Прогнозування та реалізація термоелементів на основі термометричного матеріалу Zr1-xErxNiSn [Текст] / Роман Крайовський, Володимир Ромака // Вимірювальна техніка та метрологія : міжвідом. наук.-техн. зб. / М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехніка"; відп. ред. Б. І. Стадник. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2005. — C. 88-94.
- Прогнозування термометричних характеристик n-TiNiSn [Текст] / Віталій Ромака, Ігор Малик, Юрій Довгалюк та ін. // Комп'ютерні науки та інженерія : матеріали IV Міжнар. конф. молодих вчених CSE-2010, 25-27 листоп. 2010 р., Україна, Львів / Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2010. — C. 304-305.
- Прогнозування термометричних характеристик Zr1-xYxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини [Текст] / В.А. Ромака, Р. Крайовський, Л.П. Ромака // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія : Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки України ; відп. ред. Д. Заячук. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2006. — С. 163-168.
- Прогнозування характеристик термометричного матеріалу Hf1-xLuxNiSn [Текст] / Володимир Ромака, Юрій Стадник, Віталій Ромака, Роман Корж, Володимир Крайовський // Вимірювальна техніка та метрологія : міжвідом. наук.-техн. зб. / М-во освіти і науки України ; відп. ред. Б. І. Стадник. — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2014. — С. 85-88.
- Розроблення комплексної системи санкціонованого доступу підприємства [Текст] : метод. вказівки до викон. курс. роботи для студ. ден. та заоч. форм навчання спец.: 7.160102 "Захист інформації з обмеж. доступом та автоматизація її оброб."; 7.160103 "Системи захисту від несанкціон. доступу"; 7.160104 ; 7.160105 / Нац. ун-т "Львів. політехніка" ; [уклад.: В. А. Ромака, І. О. Гарасимчук]. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2009. — 32 с.
- Системи менеджменту інформаційної безпеки [Текст] : електрон. навч.-метод. комплекс / уклад. В. А. Ромака. — 2014.
- Системи менеджменту інформаційної безпеки [Текст] : навч. посіб. / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2012. — 232 с.
- Структурні, енергетичні та кінетичні характеристики термоелектричного матеріалу Нf1-хLuxNiSn [Текст] / В.А. Ромака, П. Рогль, Ю.В. Cтадник та ін. // Термоелектрика : міжнар. наук. журн. — Чернівці, 2014. — 2014. — С. 42-52.
- Термометричні характеристики інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, сильнолегованого акцепторною домішкою Y [Текст] / Володимир Ромака, Володимир Крайовський, Любов Ромака, Андрій Горинь // Вимірювальна техніка та метрологія : міжвідом. наук.-техн. зб. / М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехніка"; відп. ред. Б. І. Стадник. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2005. — C. 127-131.
- Effect of accumulation of excess Ni atoms in the crystal structure of the intermetallic semiconductor n-ZrNiSn [Текст] / Romaka V. A., Rogl P., Romaka V. V., Stadnyk Yu. V., Hlil E. K., Krajovskii V. Ya., Horyn A. M. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 892-898.
- Electronic structure of HfNi1+xSn solid solution [Текст] / P. Rogl, V.A. Romaka, V.Ya. Krayovskii та ін. // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XIV Міжнар. конф., 20-25 трав. 2013 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фізико-хім. ін-т, НОЦ "Наноматеріали в пристроях генерування та накопичення енергії", Держ.фонд фундамент. досліджень, Ін-т фізики, напівпровідників ім. В. С. Лашкарьова [та ін.]. — Івано-Франківськ, 2013. — C. 577.
- Features in conductivity of n-ZrNiSn intermetallic semiconductor heavily doped with in acceptor impurity [Текст] / Yu. Stadnyk, V.A. Romaka, Yu. Gorelenko та ін. // Вісник Львівського університету. Серія хімічна / Львів. нац. ун-т ім. І. Франка. — Л., 2009. — C. 94-102.
- Features of band structure and conductions mechanisms of n-HfNiSn semiconductor, heavy doped with Ru [Текст] / V. A. Romaka , P. Rogl, V. V. Romaka, Yu. V. Stadnyk, R. O. Korzh, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1545-1551.
- Features of conduction mechanisms in n-ZrNiSn semiconductor heavily doped with a Rh acceptor impurity [Текст] / Romaka V. A., Rogl P., Stadnyk Yu. V., Romaka V. V., Hlil E. K., Krajovskii V. Ya., Horyn A. M. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1145-1152.
- Features of conductivity of the intermetallic semiconductor n-ZrNiSn heavily doped with a Bi donor impurity [Текст] / V. A. Romaka, P. Rogl, Yu. V. Stadnyk, E. K. Hlil, V. V. Romaka, A. M. Goryn // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 887-893.
- Features of structural, electron-transport, and magnetic properties of heavily doped n-ZrNiSn semiconductor: Fe acceptor impurity [Текст] / V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart та ін. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 278-284.
- Features of the conduction mechanisms of the n-HfNiSn semiconductor heavily doped with the Co acceptor impurity [Текст] / V. A. Romaka, P. Rogl, Yu. V. Stadnyk, V. V. Romaka, E. K. Hlil, V. Ya. Krayovskyy, A. M. Horyn // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1106-1113.
- Features of the mechanisms of generation and "Healing" of structural defects inthe healivy doped intermetallic semiconductor n-ZrNiSN [Текст] / V.A. Romaka, E.K. Hlil, Ya.V. Skolozdra та ін. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1115-1123.
- Features of the structural, electrokinetic, and magnetic properties of the heavily doped ZrNiSn semiconductor: Dy acceptor impurity [Текст] / V.A. Romaka, D. Fruchart, V.V. Romaka та ін. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 7-13.
- Information assets survivability property analysis [Текст] / Yurii Garasym, Volodymyr Romaka, Mariana Rybiy, Taras Stetsiak // Комп'ютерні науки та інженерія : матеріали V Міжнар. конф. молодих вчених CSE-2011, 24-26 листоп. 2011 р., Україна, Львів / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2011. — С. 58-61.
- Mechanism of acceptor impurity initiation in the p-TiCoSb intermetallic semiconductor heavily doped with a v donor impurity. 2. Electrokinetic studies [Текст] / V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, P. Rogl та ін. // Український фізичний журнал [Текст] : наук. журн. / НАН України. — С. 889-893.
- Mechanism of local amorphization of a heavily doped Ti1-xVxCoSb intermetallic semiconductor [Текст] / V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.G. Akselrud та ін. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 753-760.
- Phase equilibria, formation, crystal and electronic structure of ternary compounds in Ti-Ni-Sn and Ti-Ni-Sb ternary systems [Текст] / Romaka V. V., Rogl P., Romaka L., Stadnyk Yu. V., Melnychenko N., Grytsiv A., Falmbigl M., Skryabina N. // Journal of Solid State Chemistry. — 2013. — 2013. — P. 103-112.
- Phase equilibria in Zr-Ni-Sb ternary system at 870 K [Текст] / L. Romaka, A. Tkachuk, Yu. Stadnyk, V.A. Romaka // Journal of Alloys and Compounds. — 2009. — 2009. — P. 233-236.
- The mechanism of generation of the donor- and acceptor-type defects in the n-TiNiSn semiconductor heavily doped with Co impurity [Текст] / V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, D. Fruchart та ін. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1124-1130.
1
2
|