Зведений каталог бібліотек Львова

• Класифікатори та каталоги
• Напівпровідникова електроніка

Губа Сергій Костянтинович, канд. техн. наук, доц.

Документи:

• Виявлення дислокаційних дефектів у багатошарових структурах на основі арсеніду галію препаративним методом [Текст] / С.К. Губа, І.В. Курило // Фізика і хімія твердого тіла [Текст] / Прикарпат. нац. ун-т ім. Василя Стефаника ; Фізико-хім. ін-т [та ін.]. — С. 49-53.
• Влияние легирующих изовалентных примесей Bi на формирование однородных когерентно-напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs [Текст] / Р. М. Пелещак, С. К. Губа, О. В. Кузык, И. В. Курило, О. О. Данькив // Физика и техника полупроводников. — 2013. — вып. 3. — С. 324-328.
• Дислокации несоответствия и напряжения в гетероструктурах In1-xGaxAs/GaAs [Текст] / И.В. Курило, С.К. Губа // Неорганические материалы. — М., 2011. — № 8. — С. 911-915.
• Дислокації невідповідності і напруження в гетероструктурах In1-xGaxAs/GaAs [Текст] / С.К. Губа, І.В. Курило // IV Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : тези доп., Україна, Запоріжжя, 15-19 верес. 2009 р. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Запоріз. нац. техн. ун-т, Запоріз. нац. ун-т. — Запоріжжя, 2009. — С. 159-160.
• Кинетика роста вискеров GaAs в хлоридной системе GaAs-HCl-H2 [Текст] / С.К. Губа, Я.Я. Кость // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХI междунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — С. 95.
• Кінетика низькотемпературного осадження з газової фази гетеро- та наноструктур In1-xGaxAs/GaAs [Текст] / С.К. Губа, Р.Й. Петрович // Нові технології. — 2008. — 2008. — С. 230-235.
• Кінетика росту нановіскерів gaas в хлоридній системі [Текст] / С.К. Губа, Т.Я. Головчак, Я. Кость // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XII Міжнар. конф., 18-23 трав. 2009 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фіз.-хім. ін-т, НАН України. — Івано-Франківськ, 2009. — С. 379-377.
• Кінетика росту нановіскерів InAs в хлоридній системі [Текст] / С.К. Губа, Я.Я. Кость // IV Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : тези доп., Україна, Запоріжжя, 15-19 верес. 2009 р. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Запоріз. нац. техн. ун-т, Запоріз. нац. ун-т. — Запоріжжя, 2009. — С. 128-129.
• Кінетика формування адсорбційного шару на грані (100) GaAs під час зародкоутворення квантових точок InAs в процесі хлоридної епітаксії [Текст] / С.К. Губа, І.В. Курило, Р.Й. Петрович // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології : тези доп. Четвертої міжнар. наук.-практ. конф., 19-21 трав. 2010 р., Кременчук, Україна. — Кременчук, 2010. — С. 150-151.
• Моделювання в електроніці. САПР електроніки [Текст] : лаб. практикум для студ. баз. напряму 6.0908.00 "Електроніка" / Нац. ун-т "Львів. політехніка" ; [уклад.: І. В. Курило, С. К. Губа]. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2009. — 48 c.
• Моделювання низькотемпературного осадження з газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V [Текст] / С.К. Губа, Р.Й. Петрович // Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології - Кременчук , 2008. — С. 207-208.
• Моделювання поверхневого натягу ребер квантових точок InAs гетеронаноструктури GaAs-InAs-InxGa1-xAs [Текст] / С.К. Губа, В.М. Юзевич // Актуальні проблеми прикладної фізики : матеріали І Міжнар. наук.-прак. конф., 24-28 верес. 2012 р., Севастополь / Севастоп. нац. ун-т ядер. енергії та пром-сті, Східноукр. нац. ун-т ім. В. Даля. — Севастополь, 2012. — С. 47-48.
• Основи технології напівпровідникових матеріалів [Текст] : навч. посіб. / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2012. — 240 с.
• Оценочные расчеты предела диспергирования кристаллов АIII ВV [Текст] / И.В. Курило, И.А. Рудый, С.К. Губа // Неорганические материалы. — М., 2009. — № 12. — С. 1422-1425.
• Переход из неупорядоченного состояния в кристаллическое при формировании пленок соединений АІІВVІ и АІІІВV [Текст] / И.В. Курило, С.К. Губа, И.А. Рудый, И.С. Вирт // Неорганические материалы. — М., 2012. — № 1. — С. 21-25.
• Переход неупорядоченного состояния в кристаллическое при формировании структуры пленок соединений II-VI и III-V [Текст] / И.В. Курило, С.К. Губа, И.А. Рудый, И.С. Вирт // Наноструктурные материалы - 2010: Беларусь-Россия-Украина : тез. ІІ Междунар. науч. конф., 19-22 окт. 2010 г., Киев, Украина / Инт. металлофизики им. Г. В. Курдюмова. — Киев, 2010. — С. 792.
• Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии [Текст] / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 31-35.
• Програми дисциплін та тестові завдання для вступників на навчання за освітньо-професійною програмою підготовки магістрів (спеціалістів). Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки [Текст] : навч. посіб. для вступників до Нац. ун-ту "Львів. політехніка" на рівень магістра (спеціаліста) / М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехніка", Центр тестування та діагностики знань ; за заг. ред. Ю. Я. Бобала, А. Г. Загороднього, В. А. Павлиша, З. Г. Піха. — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2015. — 196 с.
• Расчет поверхностных характеристик и давлений квантових точек InAs в матрице GaAs [Текст] / С.К. Губа, В.Н. Юзевич // Физика и техника полупроводников. — 2014. — вып. 7. — С. 932-937.
• Расчет поверхностных характеристик и давлений квантовых точек InAs в матрице GaAs [Текст] / С. К. Губа, В. Н. Юзевич // .
• Розрахунок і проектування функціональних пристроїв [Текст] : метод. вказівки до викон. курс. роботи з курсу "Функціон. мікроелектроніка" для студ. спец. 8.090801 "Мікроелектрон. та напівпровідник. прилади" / Нац. ун-т "Львів. політехніка" ; [уклад.: С. К. Губа, І. В. Курило]. — Л. : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2008. — 24 с.
• Роль акустоелектронних ефектів у формуванні поверхневої манометрової надгратки у напівпровідникових структурах [Текст] / Р.М. Пелещак, С.К. Губа, О.В. Кузик та ін. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 6-та Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 29 верес. - 3 жовт. 2014 р., тези доп. / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Держ. агентство з питань науки, інновацій та інформатизації України, Від-ня фізики і астрономії Нац. акад. наук України, Наук. рада з пробл. "Фізика напівпровідників та напівпровідник. пристрої" [та ін.]. — Одеса : Астропринт, 2014. — C. 102.
• Температурні зміни енергетичних характеристик поверхневого шару квантових точок InAs в матриці GaAs [Текст] / С. К. Губа, В. М. Юзевич // Журнал нано- та електронної фізики [Текст] : наук. журн. / Сум. держ. ун-т. — С. 04065-1-04065-5.
• Технологічні аспекти отримання арсенід-галієвих силових біполярних та польових транзисторів методом газотранспортної епітаксії [Текст] / В.О. Воронін, С.К. Губа, І.В. Курило // Современные информационные и электронные технологии : тр. Десятой междунар. науч.-практ. конф., 18-22 мая 2009 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2009. — С. 151.
• Технологічні аспекти синтезу гетеронаноструктур In1-xGaxAs/InAs/GaAs для інжекційних лазерів методом хлорид-гідридної епітаксії [Текст] / Сергій Губа, Іван Курило // Лазерні технології. Лазери та їх застосування : матеріали всеукр. наук.-техн. конф. з міжнар. участю, 21-24 черв. 2011 р., Трускавець, Україна / Захід. наук. центр НАН України [та ін.]. — Дрогобич, 2011. — С. 23-24.
• Технологічнi основи електронiки [Текст] : електрон. навч.-метод. комплекс / уклад. С. К. Губа. — 2015.
• Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневих шарів гетеронаноструктур InxGa1-xAs/GaAs [Текст] / С.К. Губа, В.М. Юзевич, І.В. Курило // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XII Міжнар. конф., 18-23 трав. 2009 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фіз.-хім. ін-т, НАН України. — Івано-Франківськ, 2009. — С. 378-381.
• Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару квантових точок InAs [Текст] / С.К. Губа, В.М. Юзевич, І.В. Курило // V Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : зб. тез, Ужгород, 9-15 жовт. 2011 р. / Наук. рада з пробл. "Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої" при від-ні фізики й астрономії Нац. акад. наук України [та ін.]. — Ужгород, 2011. — С. 246.
• Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару сполук III-V [Текст] / С.К. Губа, В.М. Юзевич, І.В. Курило // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. VI Міжнар. шк.-конф., Дрогобич, Україна, 23-26 верес. 2008 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во "Карат". — Дрогобич, 2008. — С. 40.
• Химическое осаждение из паровой фазы гетеро- и наноструктур соединений III-V [Текст] / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 36-40.
• Хімічне осадження газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V [Текст] / В.О. Воронін, С.К. Губа, І.В. Курило // Современные информационные и электронные технологии : тр. Девятой междунар. науч.-практ. конф., 19-23 мая 2008 г., Одесса, Украина. — Одесса, 2008. — С. 108.
• Чисельне моделювання росту сполук АIII ВV методом хлорид-гідридної епітаксії у прямоточному горизонтальному реакторі [Текст] / С.К. Губа, Р.Й. Петрович // Новые технологии в материаловедении, информационных системах, электронике, энергетике, экономике, экологии : тез. докл., Кременчуг, 14-17 мая 2012 г. / М-во образования и науки, молодежи и спорта Украины, Ассоц. учеб. заведений Украины частной формы собственности, Кременчуг. ун-т экономики, информ. технологий и упр. — Кременчуг, 2012. — С. 96-97.
• Calculation of the surface characteristics and pressures of InAs quantum dots in a GaAs matrix [Текст] / S.K. Guba, V.N. Yuzevich // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 905-910.
• Estimative calculations of the dispersion limit for AIII BV crystals [Текст] / I.V. Kurilo, I.A. Rudyi, S.K. Guba // Inorganic Materials. — Pleiaders Publishing, 2009. — 2009. — P. 1329-1332.
• Kinetics doping quantum dots InAs with Bi impurity by low-temperature CVD-methods [Текст] / S.K. Guba, R.Y. Petrovich // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XIV Міжнар. конф., 20-25 трав. 2013 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фізико-хім. ін-т, НОЦ "Наноматеріали в пристроях генерування та накопичення енергії", Держ.фонд фундамент. досліджень, Ін-т фізики, напівпровідників ім. В. С. Лашкарьова [та ін.]. — Івано-Франківськ, 2013. — С. 216.
• Kinetics of III-V nanowhiskers growth in chloride system [Текст] / S.K. Guba, Ya.Ya. Kost // International conference "Funtional materials" : abstracts, Oct. 5-10, 2009, Partenit, Crimea, Ukraine / Taurida Nat. V. I. Vernadsky Univ. — Simferopol, 2009. — P. 400.
• Misfit dislocations and stress in In1-xGaxAs/GaAs heterostructures [Текст] / I.V. Kurilo, S.K. Guba // Inorganic Materials. — Pleiaders Publishing, 2009. — 2009. — P. 819-823.
• Model doping quantum dots InAs with Bi IMPURITY by low-temperature CVD-metods [Текст] / S.K. Guba, R.M. Peleshchak, R.Y. Petrovich, I.I. Nayda // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XV Міжнар. конф., 11-16 трав. 2015 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фізико-хім. ін-т, НОЦ "Наноматеріали в пристроях генерування та накопичення енергії", Держ.фонд фундамент. досліджень, Ін-т фізики, напівпровідників ім. В. С. Лашкарьова [та ін.]. — Івано-Франківськ, 2015. — С. 126.
• Modeling of the vapour phase epitaxial at low temperatures growth of the III-V heteronanostructure layers by CVD-method [Текст] / S.K. Guba, I.V. Kurilo, R.Y. Petrovich // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XIIІ Міжнар. конф., 16-21 трав. 2011 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника [та ін.]. — Івано-Франківськ, 2011. — С. 245.
• Modelling of growth of the A III B V hetero nanostructures by isothermal CVD-methods [Текст] / S.K. Guba, R.Y. Petrovich // XIVth International seminar on physics and chemistry of solids : progr. collected abstr., Lviv, 1-4 June 2008 / Ivan Franko Nat. Univ. of Lviv, Sci. Research Company "Carat". — Lviv : Liga-Press, 2008. — P. 45.
• The character of temperature changes of the physical properties of the surface layer of InAs quantum dots in GaAs matrix [Текст] / S. K. Guba, V. N. Yuzevich // NATO advanced research workshop "Functional nanomaterials and devices for electronics, sensors, energy harvesting" : book of abstr., 13–16 Apr. 2015 Lviv, Ukraine / V. E. Lashkaryov Inst. of semiconductor physics, Nat. acad. of sciences of Ukraine. — Lviv, 2015. — P. 72.
• Transition from a disordered to a crystalline state in II-VI and III-V films [Текст] / I.V. Kurilo, S.K. Guba, I.O. Rudyi, I.S. Virt // Inorganic Materials. — 2012. — № 1. — P. 16-20.