Зведений каталог бібліотек Львова

• Класифікатори та каталоги
• Ін-т телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки

Мар'ямова Інна Йосипівна, наук. співроб.

Документи:

• Вплив деформації на низькотемпературну провідність легованих НК кремнію, опромінених електронами [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, О.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. VIІ Міжнар. шк.-конф., Дрогобич, Україна, 28 верес. - 1 жовт. 2010 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во "Карат". — Дрогобич, 2010. — С. 164.
• Вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність легованих ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, І.П. Островський та ін. // Фізика і хімія твердого тіла [Текст] / Прикарпат. нац. ун-т ім. Василя Стефаника ; Фізико-хім. ін-т [та ін.]. — С. 588-592.
• Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge [Текст] / І.Й. Марямова, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко та ін. // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія : Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки України ; відп. ред. Д. Заячук. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2006. — С. 145-150.
• Вплив радіаційного опромінення на стрибкову провідність ниткоподібних кристалів Si та Si-Ge [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, І.П. Осторовський та ін. // IV Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : тези доп., Україна, Запоріжжя, 15-19 верес. 2009 р. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Запоріз. нац. техн. ун-т, Запоріз. нац. ун-т. — Запоріжжя, 2009. — С. 192-193.
• Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния [Текст] / А.А. Дружинин, А.П. Кутраков, И.И. Марьямова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 25-28.
• Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия [Текст] / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 19-23.
• Датчики гидростатического давления на основе нитевидных кристаллов антимонида галлия [Текст] / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // Современные информационные и электронные технологии : тр. XVI Междунар. науч.-практ. конф., 25-29 мая, 2015 г., Украина, Одесса / Одес. нац. политехн. ун-т, Харьков. нац. ун-т радиоэлектроники, Акад. наук приклад. радиоэлектроники, Издат. центр "Политехпериодика". — Одесса : Политехпериодика, 2015. — С. 226-227.
• Датчики механічних величин на основі ниткоподібних кристалів кремнію, германію та сполук А3В5 [Текст] : монографія / М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2015. — 232 с.
• Деформаційно-стимульовані ефекти в мікрокристалах кремнію р-типу за низьких температур [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, О.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // V Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : зб. тез, Ужгород, 9-15 жовт. 2011 р. / Наук. рада з пробл. "Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої" при від-ні фізики й астрономії Нац. акад. наук України [та ін.]. — Ужгород, 2011. — С. 136-137.
• Дослідження впливу електронного опромінення на ниткоподібні кристали Si, SiGe та шари полікремнію [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, І.П. Островський та ін. // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 45-54.
• Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы [Текст] / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // Современные информационные и электронные технологии : тр. Десятой междунар. науч.-практ. конф., 18-22 мая 2009 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2009. — С. 153.
• Исследование радиационной стойкости слоев поликремния в кни-структурах при электронном облучении [Текст] / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, И.Т. Когут, Ю.М. Ховерко // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХI междунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — С. 128.
• Ниткоподібні кристали кремнію для сенсорної електроніки [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, О.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // Фізика і хімія твердого тіла [Текст] / Прикарпат. нац. ун-т ім. Василя Стефаника ; Фізико-хім. ін-т [та ін.]. — С. 1078-1084.
• Сенсори фізичних величин на основі структур "кремній на ізоляторі" з рекристалізованим шаром полікремнію [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, І.Т. Когут та ін. // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології : 3-я Міжнар. наук.-техн. конф., Україна, Одеса, 2-6 черв. 2008 р.тези доп. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І.І. Мечникова. — О. : Астропринт, 2008. — С. 30-31.
• Тензорезистивні сенсори тиску на основі ниткоподібних кристалів кремнію для широкого діапазону температур [Текст] / А.О. Дружинін, О.П. Кутраков, І.Й. Марямова // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія : Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки України ; відп. ред. Д. Заячук. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2006. — С. 65-73.
• Тензорезистивні сенсори тиску на основі ниткоподібних кристалів кремнію [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, О.П. Кутраков, Н.С. ЛяхКагуй // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. — О., 2009. — 2009. — С. 16-24.
• Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристалов кремния [Текст] / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, И.В. Павловский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 26-30.
• Тензорезисторы на основе нитевидных кристаллов кремния для низких температур [Текст] / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, И.В. Павловский // Современные информационные и электронные технологии : тр. Девятой междунар. науч.-практ. конф., 19-23 мая 2008 г., Одесса, Украина. — Одесса, 2008. — С. 150.
• Фізичні основи створення тензорезистивних сенсорів механічних величин для кріогенних температур [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, І.В. Павловський // Міжрегіональний науковий семінар "Сучасні проблеми електроніки" : тези доп., 31 січ. - 1 лют. 2008 р., Львів / Львів. нац. ун-т ім. Ів. Франка. — Л., 2008. — С. 31-32.
• Шари полікремнію на ізоляторі як чутливі елементи сенсорів кріогенних температур [Текст] / А.О. Дружинін, І.Й. Марямова, Ю.М. Ховерко, І.Т. Когут // Фізика і хімія твердого тіла [Текст] / Прикарпат. нац. ун-т ім. Василя Стефаника ; Фізико-хім. ін-т [та ін.]. — С. 236-239.
• Polysilicon on insulator structures for sensor applicaton at electron irradiation and magnetic fields [Текст] / Anatoly Druzhinin, Inna Maryamova, Igor Kogut, Yuriy Khoverko // Advanced Materials Research. — 2011. — 2011. — P. 109-116.
• Silicon whiskers for sensor electronics [Текст] / A.A. Druzhinin, I. Maryamova, A. Kutrakov, N. LiakhKaguy // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XIIІ Міжнар. конф., 16-21 трав. 2011 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника [та ін.]. — Івано-Франківськ, 2011. — С. 29.
• Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures [Текст] / A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, O.P. Kutrakov та ін. // Functional Materials. — 2012. — № 3. — P. 325-329.