Михащук Юрій Сергійович, асп.
Документи:
- Відпрацювання технології вирощування квантових точок в системі GaAs/InAs [Текст] / Д.М. Заячук, С.І. Круковський, Ю.С. Михащук // Дванадцята відкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету "Львівська політехніка" з проблем електроніки : тези доп. [конф.], 7-9 квіт. 2009 р., [Львів] / М-во освіти і науки України ; [відп. ред. Д. М. Заячук]. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2009. — С. 33.
- Епітаксійні шари GaAs отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела легованого ітербієм [Текст] / С.І. Круковський, Д.М. Заячук, І.О. Мрихін, Ю.С. Михащук // Фізика і хімія твердого тіла [Текст] / Прикарпат. нац. ун-т ім. Василя Стефаника ; Фізико-хім. ін-т [та ін.]. — С. 594-597.
- Особливості отримання епітаксійних структур в системі GaAs/InAs з масивами квантових точок в актривній області поєднанням методів ізотермічної та неізотермічної РФЕ [Текст] / Д.М. Заячук, С.І. Круковський, Ю.С. Михащук // Фізика і технологія тонких плівок та наносистем : матеріали XII Міжнар. конф., 18-23 трав. 2009 р., Івано-Франківськ, Україна / Прикарпат. нац. ун-т ім. В. Стефаника, Фіз.-хім. ін-т, НАН України. — Івано-Франківськ, 2009. — С. 390-391.
- Особливості технології отримання гетероструктур InP/InGaAsP/INP для потужних світловипромінюючих діодів ближнього інфрачервоного діапазону [Текст] / Ю.С. Михащук, Д.М. Заячук, С.І. Крукоський // IV Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : тези доп., Україна, Запоріжжя, 15-19 верес. 2009 р. / Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Запоріз. нац. техн. ун-т, Запоріз. нац. ун-т. — Запоріжжя, 2009. — С. 75-76.
- Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна [Текст] / Н.М. Вакив, С.И. Круковський, Д.М. Заячук та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 50-53.
- Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 27-30.
- Формування буферних шарів Ga As для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії [Текст] / Д.М. Заячук, С.І. Круковський, Ю.С. Михащук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія : Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки України ; відп. ред. Д. Заячук. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2006. — С. 71-76.
- Формування методом РФЕ квантоворозмірних об'єктів у системі InAs/GaAs з використанням домішок рідкісноземельних елементів [Текст] / Д.М. Заячук, С.І. Круковський, Ю.С. Михащук // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. VI Міжнар. шк.-конф., Дрогобич, Україна, 23-26 верес. 2008 р. / Ін-т фізики НАН України, Ін-т фізики напівпровідників НАН України, Наук.-вироб. п-во "Карат". — Дрогобич, 2008. — С. 53.
- Формування методом РФЕ масивів квантових точок в гетеросистемах на основі InAs/GaAs [Текст] / Д.М. Заячук, С.І. Круковський, Ю.С. Михащук, І.О. Мрихін // Одинадцята відкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки : тези доп. конф., 1-3 квіт. 2008 р., Львів / М-во освіти і науки України ; [відп. ред. Д. М. Заячук]. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2008. — С. 27.
- Formation of GaAs and Ga1-xAlxAs (0 x 0.3) layers on GaAs (111)A substrate by organometallic vapor phase epitaxy [Текст] / S. Larkin, A. Avksentyev, M. Vakiv та ін. // Physica Scripta. — 2015. — № 9. — P. 094001-094005.
|
