Зведений каталог бібліотек Львова

• Класифікатори та каталоги
• Напівпровідникова електроніка

Іжнін Ігор Іванович, д-р техн. наук, проф.

Документи:

• Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, И.И. Ижнин та ін. // Известия высших учебных заведений. Физика. — Томск, 2012. — № 8. — С. 50-55.
• Влияние отжига на дефектную структуру МЛЭ ГЭС CdxHg1-xTe [Текст] / И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, М. Поцяск та ін. // Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники : тез. докл., Новосибирск, 22-26 авг. 2011. — Новосибирск, 2011. — С. 84.
• Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоёв в p-CdxHg1-xTe1 [Текст] / И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.Ю. Бончик та ін. // Известия высших учебных заведений. Физика. — Томск, 2012. — № 8/2. — С. 148-149.
• Электрические и оптические свойства МЛЭ гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe, выращеных на кремниевых подложках [Текст] / И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Г.В. Савицкий та ін. // ХХІІ Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения : тр. конф., 22-25 мая 2012, Москва, Россия / Федер. Гос. Унитар. предприятие "Науч.-произв. об-ние "Орион". — М., 2012. — С. 199-200.
• Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, модифицированных ионным травлением [Текст] / М. Поцяск, И.И. Ижнин, С.А. Дворецкий та ін. // Физика и техника полупроводников. — 2008. — 2008. — С. 1444-1447.
• Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора [Текст] / А.В. Войцеховский, С.П. Несмелов, С.М. Дзядух та ін. // Известия высших учебных заведений. Физика. — Томск, 2012. — № 8/2. — С. 136-137.
• Ионная имплантация и ионное травление варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe [Текст] / А.В. Войцеховский, Н.Х. Талипов, И.И. Ижнин // Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники : тез. докл., Новосибирск, 22-26 авг. 2011. — Новосибирск, 2011. — С. 51.
• Ионное травление в технологии создания фотоприемников на основе CdxHg1-xTe [Текст] / И.И. Ижнин // Совещание актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники Фотоника-2008 : тезисы, Новосибирск 19-23 авг. 2008 / Ин-т физики полупроводников им. А.в. Ржанова, Сиб. отд-ние РАН. — С. 19.
• Использование ионного травления для исследования дефектной структуры МЛЭ гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe [Текст] / И.И. Ижнин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов та ін. // Совещание актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники Фотоника-2008 : тезисы, Новосибирск 19-23 авг. 2008 / Ин-т физики полупроводников им. А.в. Ржанова, Сиб. отд-ние РАН. — С. 53.
• Исследование влияния ионной имплантации бора и ионно-лучевого травления варизонных структур МЛЄ КРТ при формировании n-p-переходов [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.В. Григорьев, А.П. Коханенко та ін. // Совещание актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники Фотоника-2008 : тезисы, Новосибирск 19-23 авг. 2008 / Ин-т физики полупроводников им. А.в. Ржанова, Сиб. отд-ние РАН. — С. 28.
• Исследование влияния отжига на дефектную структуру МЛЭ пленок CdHgTe с помошью ионного травления [Текст] / И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Г.В. Савицкий та ін. // V Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : зб. тез, Ужгород, 9-15 жовт. 2011 р. / Наук. рада з пробл. "Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої" при від-ні фізики й астрономії Нац. акад. наук України [та ін.]. — Ужгород, 2011. — С. 145.
• Исследование дефектной структуры эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe виращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при ионном травлении [Текст] / И.И. Ижнин, Е.С. Ильина, К.Р. Курбанов та ін. // ХХ Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения : тез. докл., 27-30 мая 2008, Москва, Россия. — М., 2008. — С. 93-94.
• Исследование структуры дефектов в пленках CdxHg1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощью низкоэнергетической ионной обработки [Текст] / И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч та ін. // Физика и техника полупроводников. — 2011. — вып. 9. — С. 1166-1170.
• Моделі та аналіз сигналів в електроніці [Текст] : метод. вказівки до самост. роботи з дисципліни "Електрон. системи" для студ. баз. напряму "Мікро- та наноелектроніка" / М-во освіти і науки, молоді та спорту України, Нац. ун-т "Львів. політехніка" ; [уклад.: С. Б. Убізський, І. І. Іжнін, Л. О. Василечко]. — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2011. — 76 с.
• Модификация электрических свойств вакансионно-легированных образцов p-HgCdTe при ионном травлении [Текст] / И.И. Ижнин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов та ін. // Письма в журнал технической физики. — С.-Петербург : "Наука". С.-Петербугское отд., 2008. — вып. 22. — С. 64-71.
• Наблюдение анализ фотолюминесценции структуры КРТ с одиночной КЯ (d=12,5hm, x=0,24) [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, И.И. Ижнин та ін. // V Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : зб. тез, Ужгород, 9-15 жовт. 2011 р. / Наук. рада з пробл. "Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої" при від-ні фізики й астрономії Нац. акад. наук України [та ін.]. — Ужгород, 2011. — С. 194.
• Наблюдение и анализ фотолюминесценции гетероструктуры CdxHg1-xTe с одиночной квантовой ямой [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, И.И. Ижнин та ін. // V Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : зб. тез, Ужгород, 9-15 жовт. 2011 р. / Наук. рада з пробл. "Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої" при від-ні фізики й астрономії Нац. акад. наук України [та ін.]. — Ужгород, 2011. — С. 293-294.
• Расчёт энергетического спектра квантовой ямы Cd0.8Hg0.2Te/Cd0.24Hg0.76Te (12,5 нм) по спектральным характеристикам фотолюминесценции [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, И.И. Ижнин, А.И. Ижнин // ХХІІ Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения : тр. конф., 22-25 мая 2012, Москва, Россия / Федер. Гос. Унитар. предприятие "Науч.-произв. об-ние "Орион". — М., 2012. — С. 258-260.
• Релаксация дефектной структуры эпитаксиальных пёнок CdHgTe, подвергнутых обработке низко- и высокоэнергетическими ионами [Текст] / И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.Ю. Бончик та ін. // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах : тез. междунар. молодеж. конф., Новосибирск, 23-26 окт. 2012 р. / Сибир. отд-ние РАН, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, Науч. совет РАН по проблеме "Радиац. физика твердого тела", М-во образования и науки Рос. Федерации, Нижегород. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского, Новосибир. гос. ун-т [и др.]. — 2012. — С. 28.
• Релаксация дефектной структуры эпитаксиальных плёнок CdHgTe, подвергнутых обработке низко- и высокоэнергетическими ионами [Текст] / И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.Ю. Бончик та ін. // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : тез. IV Всерос. конф., с участием иностр. ученых, Новосибирск, 23-26 окт. 2012 р. / Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова. — 2012. — С. 28.
• Релаксация электрических свойств эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe:As(Sb), конвертированных в n-тип ионным травлением [Текст] / И.И. Ижнин, В.В. Богобоящий, А.П. Власов та ін. // Прикладная физика. — 2008. — 2008. — С. 115-121.
• Релаксация электрофизических параметров n-слоев в МЛЭ эпитаксиальных пленках p-CdxHg1-xTe, сформированных ионной имплантацией и ионным травлением [Текст] / И.И. Ижнин, А.И. Фицыч, А.Ю. Бончик та ін. // ХХІІ Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения : тр. конф., 22-25 мая 2012, Москва, Россия / Федер. Гос. Унитар. предприятие "Науч.-произв. об-ние "Орион". — М., 2012. — С. 206-209.
• Релаксация радиоционно-нарушеного слоя, формирующегося при ионно-плазменом травлении твердых растворов CdHgTe [Текст] / И.И. Ижнин, Г.В. Савицкий, Е.И. Фицыч та ін. // Письма в журнал технической физики. — С.-Петербург : Наука, 2012. — вып. 24. — С. 10-17.
• Сравнение результатов ионной имплантации и ионного травления варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe [Текст] / А.В. Войцеховский, Н.Х. Талипов, И.И. Ижнин // V Українська наукова конференція з фізики напівпровідників : зб. тез, Ужгород, 9-15 жовт. 2011 р. / Наук. рада з пробл. "Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої" при від-ні фізики й астрономії Нац. акад. наук України [та ін.]. — Ужгород, 2011. — С. 175.
• Теоретический анализ спектра фотолюминесценции гетероструктуры КРТ МЛЭ с одиночной КЯ [Текст] / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, И.И. Ижнин, А.И. Ижнин // Фотоника-2011. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники : тез. докл., Новосибирск, 22-26 авг. 2011. — Новосибирск, 2011. — С. 132.
• Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники [Текст] : учеб. пособие / М-во образования и науки Рос. Федерации, Томский гос. ун-т. — Томск : Издат. Дом Томского гос. ун-та, 2013. — 560 с.
• Фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами [Текст] / И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, К.Д. Мынбаев та ін. // Физика и техника полупроводников. — 2014. — вып. 2. — С. 207-211.
• Arsenic incorporation in MBE-grown HgCdTe studied with the use of ion milling [Текст] / I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev та ін. // Physica Status Solidi (c). — 2010. — № 6. — P. 1612-1614.
• Blue-shift in fotoluminescence of ion-milled HgCdTe films and relaxation of defects induced by the milling [Текст] / M. Posiask, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev та ін. // Thin Solid Films. — 2010. — iss. 14. — P. 3879-3881.
• Comparison of electrical properties of HgCdTe subsurface layers formed by low energy ion beam milling or anodic oxidation [Текст] / N. Berchenko, I. Izhnin, M. Pociask, V. Yakovyna // 13th European conference on applications of surface and interface analysis : book of abstr., Oct. 18-23, 2009, Antalya, Turkey. — Ankara, 2009. — P. 183.
• Corner- and edge-sharing cluster interlinking in As/Ge-S glass formers [Текст] / M. Hyla, V.T. Boyko, O.I. Shpotyuk, J. Filipecki // XIVth International seminar on physics and chemistry of solids : progr. collected abstr., Lviv, 1-4 June 2008 / Ivan Franko Nat. Univ. of Lviv, Sci. Research Company "Carat". — Lviv : Liga-Press, 2008. — P. 20.
• Defects in HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates [Текст] / I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, H.V. Savytskyy та ін. // Opto-Electronics Review. — 2010. — № 3. — P. 62-65.
• Defect structure of CdxHg1 - xTe films grown by liquid-phase epitaxy, studied by means of low-energy ion treatment [Текст] / I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, E.I. Fitsych та ін. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1413-1415.
• Defect structure of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy on Si substrates [Текст] / I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, H.V. Savytskyy та ін. // Semiconductor Science and Technology. — 2012. — № 3. — [4 p.].
• Defect structure of MOCVD-grown MCT films doped with arsenic [Текст] / K. Mynbaev, I. Izhnin, A. Izhnin та ін. // The XVIIIth International seminar on physics and chemistry of solids : book of abstr., Lviv, Sept. 12–15, 2012. — Lviv, 2012. — P. 7-8.
• Defect structure of MWIR and LWIR CdxHg1-xTe heteroepitaxial films grown by molecular-beam epitaxy [Текст] / M. Pociask, I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky та ін. // XVIth International seminar on physics and chemistry of solids : seminar progr. and book of abstr., June 6-9, 2010, Lviv, Ukraine / Ivan Franko nat. univ. of Lviv, Jan Dlugosz univ., Sci. research co. "Carat". — Lviv, 2010. — P. 95.
• Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic [Текст] / I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev та ін. // Journal of Applied Physics. — New-York : American institute of physics, 2014. — iss. 16. — P. 163501-1-163501-7.
• Design and characterization of resonator mirrors for microlasers on the base of YAlO3 single crystals activated with Nd3+ and Tm3+ ions [Текст] / O.S. Ilyina, V.G. Hajduchok, A.I. Izhnin та ін. // Oxide materials for electronic engineering - fabrication, properties and application ОМЕЕ-2009 : book of abstracts Intern. sci. workshop, June 22-26, 2009, Lviv, Ukraine / [упоряд. Я. А. Жидачевський]. — Lviv, 2009. — P. 191.
• Electrical and optical properties of CdHgTe films grown by molecular-beam expitaxy on silicon substrates [Текст] / I.I. Iznin, K.D. Mynbaev, M.V. Yakushev та ін. // Semiconductors. — 2008. — № 7. — P. 1341-1345.
• Influence of hydrogen on hydrogenated cadmium telluride optical spectra [Текст] / Malgorzata Posiask, Jasek Polit, E. Sheregii та ін. // E-MRS 2008 Fall Meeting : sci. progr. and book of abstr., Sept. 15-19, 2008 / Warsaw Univ. of Technology. — Warsaw, 2008. — P. J19.
• Ion implantation and ion milling in MBE Hg1-xCdxTe films [Текст] / O.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovskii, D.V. Grigorjev та ін. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. — 2012. — 2012. — P. 313-317.
• Ion milling a method of investigation of the Hg1-xCdxTe defect structure [Текст] / M. Pociask, I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky та ін. // XIVth International seminar on physics and chemistry of solids : progr. collected abstr., Lviv, 1-4 June 2008 / Ivan Franko Nat. Univ. of Lviv, Sci. Research Company "Carat". — Lviv : Liga-Press, 2008. — P. 25.
• Ion-milling-assisted study of defect structure of acceptor-doped HgCdTe heterostructures grown by molecular beam epitaxy [Текст] / M. Pociask, I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky та ін. // Semiconductor Science and Technology. — 2008. — 2008. — P. 1-5.
• Ion milling-assisted study of defect structure of HgCdTe films grown by liquid phase epitaxy [Текст] / I.I. Izhnin, I.A. Denisov, N.A. Smirnova та ін. // Opto-Electronics Review. — 2010. — № 3. — P. 328-331.
• Ion milling-induced conductivity-type conversion in p-type HgCdTe MBE-grown films with graded-gap surface layers [Текст] / M. Pociask, I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky та ін. // Semiconductor Science and Technology. — 2010. — № 6. — [5 p.].
• Light emission from CdHgTe-based nanostructures [Текст] / K.D. Mynbaev, A.V. Shilyaev, N.L. Bazhenov та ін. // Materials Physics and Mechanics. — 2014. — 2014. — P. 112-118.
• Long-term room-temperature relaxtion of the defects induced in (Hg,Cd)Te by low-energy ions [Текст] / I.I. Iznin, K.D. Mynbaev, M. Pociask та ін. // Physica B: Condensed Matter. — 2009. — 2009. — P. 5025-5027.
• Scientific and technologycal complex for obtaining of materials and devices for quantum and optoelectronics [Текст] / M.M. Vakiv, D.M. Vynnyk, I.Ye. Groshovyy та ін. // XIVth International seminar on physics and chemistry of solids : progr. collected abstr., Lviv, 1-4 June 2008 / Ivan Franko Nat. Univ. of Lviv, Sci. Research Company "Carat". — Lviv : Liga-Press, 2008. — P. 14.
• Study of the defect structure of Hg1-xCdxTe films by ion milling [Текст] / Malgorzata Pociask, Ihor Iznin, Elena Ilyina та ін. // XXXVII International school on the physics of semiconducting compounds : Ustron, Jaszowiec, Poland, June 7-13, 2008 / Inst.of Physics, polish Acad. of Sciences, Univ. of Warsaw [et al.]. — Warsaw, 2008. — P. ThP11.
• The comparative analysis and optimization of the free-running Tm3+:YAP and Tm3+:YAG microlasers [Текст] / O.A. Buryy, D.Y. Sugak, S.B. Ubizskii та ін. // Applied Physics B: Lasers and Optics. — 2007. — 2007. — P. 433-442.

1   2