Круковський Ростислав Семенович, аспірант
Документи:
- Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних шарах InAs, отриманих РФЕ з індієвих розплавів, легованих кремнієм [Текст] / М.М. Ваків, Р.С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки, молоді та спорту України ; відп. ред. Д. Заячук. — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2012. — С. 80-84.
- Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних шарах InAs отриманих РФЕ із індієвих розплавів легованих кремнієм [Текст] / М.М. Ваків, Р.С. Круковський // П'ятнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки з проблем електроніки та інфокомунікаційних систем : програма та тези доп. [конф.], 3-5 квіт. 2012 р., [Львів] / М-во освіти і науки, молоді та спорту України ; [редкол.: Д. М. Заячук (відп. ред.) та ін.]. — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2012. — С. 41.
- Властивості епітаксійних шарів арсеніду індію, кристалізованих із індієвих розплавів [Текст] / М.М. Ваків, С.І. Круковський, Р.С. Круковський // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХI междунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — С. 94.
- Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSb [Текст] / М.М. Ваків, Р.С. Круковський, С.І. Круковський // Чотирнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету "Львівська політехніка" з проблем електроніки : тези доп. конф., 5-7 квіт. 2011 р., Львів / М-во освіти і науки, молоді та спорту України. — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2011. — С. 15.
- Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InAs [Текст] / М.М. Ваків, С.І. Круковський, Р.С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія : Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки України ; відп. ред. Д. Заячук. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2006. — С. 89-92.
- Модифікація гальваномагнітних властивостей багатошарових структур на основі GaAs, InP, InAs для елементів пристроїв електронної техніки [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехн.". — Львів, 2015. — 21 с.
- Модифікація гальваномагнітних властивостей багатошарових структур на основі GaAs, InP, InAs для елементів пристроїв електронної техніки [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / М-во освіти і науки України, Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Львів : [б. в.], 2015. — 164 с.
- Оптимізація режимів формування активних областей світлодіодних гетероструктур AlInGaAsP/AlInP [Текст] / С.І. Круковський, С.Ю. Михащук, І.О. Мрихін та ін. // Актуальні проблеми прикладної фізики : матеріали І Міжнар. наук.-прак. конф., 24-28 верес. 2012 р., Севастополь / Севастоп. нац. ун-т ядер. енергії та пром-сті, Східноукр. нац. ун-т ім. В. Даля. — Севастополь, 2012. — С. 161-162.
- Особливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію отримуваних методом РФЕ [Текст] / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Шістнадцята щорічна відкрита науково-технічна конференція ІТРЕ з проблем електроніки та інфокомунікаційних систем : програма та тези доп., 2-4 квіт. 2013 р., [Львів] / М-во освіти і науки, молоді та спорту України ; [редкол.: Д. М. Заячук (відп. ред.), Я. В. Бобицький, С. Б. Убізський]. — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2013. — С. 23.
- Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна [Текст] / Н.М. Вакив, С.И. Круковський, Д.М. Заячук та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 50-53.
- Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 27-30.
- Formation of GaAs and Ga1-xAlxAs (0 x 0.3) layers on GaAs (111)A substrate by organometallic vapor phase epitaxy [Текст] / S. Larkin, A. Avksentyev, M. Vakiv та ін. // Physica Scripta. — 2015. — № 9. — P. 094001-094005.
- Peculiarities of forming p-n structures InSb by LPE method from indium melts dopped by silicon [Текст] / R.S. Krukovsky // XVIth International seminar on physics and chemistry of solids : seminar progr. and book of abstr., June 6-9, 2010, Lviv, Ukraine / Ivan Franko nat. univ. of Lviv, Jan Dlugosz univ., Sci. research co. "Carat". — Lviv, 2010. — P. 77.
|
