Круковський Семен Іванович, д-р техн. наук, ст. наук. співробітник
Документи:
- Властивості епітаксійних шарів арсеніду індію, кристалізованих із індієвих розплавів [Текст] / М.М. Ваків, С.І. Круковський, Р.С. Круковський // Современные информационные и электронные технологии : тр. ХI междунар. науч.-практ. конф., 24-28 мая 2010 г., Украина, Одесса. — Одесса, 2010. — С. 94.
- Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSb [Текст] / М.М. Ваків, Р.С. Круковський, С.І. Круковський // Чотирнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету "Львівська політехніка" з проблем електроніки : тези доп. конф., 5-7 квіт. 2011 р., Львів / М-во освіти і науки, молоді та спорту України. — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2011. — С. 15.
- Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InAs [Текст] / М.М. Ваків, С.І. Круковський, Р.С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія : Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки України ; відп. ред. Д. Заячук. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2006. — С. 89-92.
- Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних сполук [Текст] / М.М. Ваків, В.Р. Тимчишин, С.І. Круковський, Б.О. Рейкін // Чотирнадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету "Львівська політехніка" з проблем електроніки : тези доп. конф., 5-7 квіт. 2011 р., Львів / М-во освіти і науки, молоді та спорту України. — Л. : Вид-во Львів. політехніки, 2011. — С. 16.
- Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів у складі p-i-n Si високовольтних структур [Текст] / М.М. Ваків, С.І. Круковський, В.Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Серія : Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки України ; відп. ред. Д. Заячук. — Львів : Вид-во Нац. ун-ту "Львів. політехніка", 2006. — С. 50-54.
- Оптимізація режимів формування активних областей світлодіодних гетероструктур AlInGaAsP/AlInP [Текст] / С.І. Круковський, С.Ю. Михащук, І.О. Мрихін та ін. // Актуальні проблеми прикладної фізики : матеріали І Міжнар. наук.-прак. конф., 24-28 верес. 2012 р., Севастополь / Севастоп. нац. ун-т ядер. енергії та пром-сті, Східноукр. нац. ун-т ім. В. Даля. — Севастополь, 2012. — С. 161-162.
- Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів I-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії [Текст] / М.М. Ваків, С.І. Круковський, В.Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка : [зб. наук. пр.] / М-во освіти і науки України ; відп. ред. С. Убізський. — Львів : Вид-во Львів. політехніки, 2013. — С. 102-106.
- Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна [Текст] / Н.М. Вакив, С.И. Круковський, Д.М. Заячук та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 50-53.
- Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, А.В. Сукач та ін. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : науч.-техн. журн. / Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева, НПО " Сатурн" , Одес. нац. политехн. ун-т. — С. 27-30.
|
