Kotur, B.     Metal site doping in the narrow-gap semiconductor FeGa3 [Текст] / B. Kotur, V. Babizhetskyy, E. Bauer та ін. // Фізико-хімічна механіка матеріалів : Міжнародний науково-технічний журнал. — Львів : Фізико-механічний інститут ім. Г.В.Карпенка НАН України. — c.69-75.